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4英寸半絕緣型襯底材料
山東天岳于2017年自主研發半絕緣型襯底材料,電阻率突破1E10Ω·cm,均勻性良好,尺寸以4英寸為主,其他尺寸以及參數要求歡迎垂詢。
    SiC作為一種寬帶隙的半導體材料,同時還具有較寬的工作頻帶,(0~400GHz),加之其優異的高溫特性,高擊穿電場,高熱導率和電子飽和速率等特性,在微波通訊領域也占有一席之地。實現了通訊器件的高效能,高機動,高波段和小型化的,特別是在X波段以上的T/R組件,5G通訊基站中的應用備受關注。
    4英寸半絕緣襯底材料細節
    新產品電阻率可突破1E10Ω·cm,且平均性良好
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