SiC作為一種寬帶隙的半導體材料，同時還具有較寬的工作頻帶，（0~400GHz），加之其優異的高溫特性，高擊穿電場，高熱導率和電子飽和速率等特性，在微波通訊領域也占有一席之地。實現了通訊器件的高效能，高機動，高波段和小型化的，特別是在X波段以上的T/R組件，5G通訊基站中的應用備受關注。