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導電型碳化硅襯底材料
N型碳化硅襯底材料是支撐電力電子行業發展必不可少的重要材料。其耐高壓、耐高頻等突出的物理特性可以廣泛應用于大功率高頻電子器件、電動汽車PCU、光伏逆變、軌道交通電力控制系統等領域,起到減小體積簡化系統,提升功率密度的作用
    發光二極管(LED)是利用半導體中電子與空穴復合發光的一種電子元器件,是一種節能環保的冷光源。SiC材料具有與GaN晶格失配小、熱導率高、器件尺寸小、抗靜電能力強、可靠性高等優點是GaN系外延材料的理想襯底,由于其良好的熱導率,解決了功率型GaN-LED器件的散熱問題,特別適合制備大功率的半導體照明用LED,這樣大大提高了出光效率,又能有效的降低能耗。
    以SiC為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高,擊穿場強高,飽和電子漂移速率高,化學性能穩定,硬度高,抗磨損,高鍵和高能量以及抗輻射等優點,可廣泛用于制造高溫,高頻,高功率,抗輻射,大功率和高密集集成電子器件,用SiC襯底開發的電力電子器件(SBD、MOSFET、IGBT、BJT、JFET等)用在輸變電、風力發電、太陽能、混合動力汽車等電力電子領域,降低電力損失,減少發熱量,高溫工作,提高效率,增加可靠性
    SiC作為一種寬帶隙的半導體材料,同時還具有較寬的工作頻帶,(0~400GHz),加之其優異的高溫特性,高擊穿電場,高熱導率和電子飽和速率等特性,在微波通訊領域也占有一席之地。實現了通訊器件的高效能,高機動,高波段和小型化的,特別是在X波段以上的T/R組件,5G通訊基站中的應用備受關注。
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