發光二極管（LED）是利用半導體中電子與空穴復合發光的一種電子元器件，是一種節能環保的冷光源。SiC材料具有與GaN晶格失配小、熱導率高、器件尺寸小、抗靜電能力強、可靠性高等優點是GaN系外延材料的理想襯底，由于其良好的熱導率，解決了功率型GaN-LED器件的散熱問題，特別適合制備大功率的半導體照明用LED，這樣大大提高了出光效率，又能有效的降低能耗。

以SiC為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優點，可廣泛用于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件，用SiC襯底開發的電力電子器件（SBD、MOSFET、IGBT、BJT、JFET等）用在輸變電、風力發電、太陽能、混合動力汽車等電力電子領域，降低電力損失，減少發熱量，高溫工作，提高效率，增加可靠性

SiC作為一種寬帶隙的半導體材料，同時還具有較寬的工作頻帶，（0~400GHz），加之其優異的高溫特性，高擊穿電場，高熱導率和電子飽和速率等特性，在微波通訊領域也占有一席之地。實現了通訊器件的高效能，高機動，高波段和小型化的，特別是在X波段以上的T/R組件，5G通訊基站中的應用備受關注。