從2014年到2017年上半年，晶片MPD在逐年降低，并且越來越穩定，表明微管缺陷在長晶過程中得到了相當好的控制，晶片質量得到相應的提高。 2017年 整體襯底PMD平均控制在1.5個/cm2 U級產品為0.1個/cm2
2014年到2017年上半年，N型電阻率有明顯的降低，說明電阻率質量情況在逐年改善和提高。半絕緣晶片的電阻率穩定在1E12 Ω ·cm以上，達到較高質量要求，現不予統計分析。
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